Principe et caractéristiques :
La technique PECVD est basée sur la génération d’un plasma dans lequel l’énergie est transférée à une mixture de gaz, et une réaction chimique s’enclenche donnant lieu à nouvelles espèces chimiques qui vont interagir avec les substrats pour soit les attaquer ou simplement s’y accrocher pour former des dépôts. Elle constitue une excellente alternative pour le dépôt de couches minces à basse température.
Réacteur Plasma PECVD « dépôt chimique par plasma » : Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
