HISTORIQUE
Le Centre de Recherche en Technologie des Semi-conducteurs pour l’Energétique (CRTSE) est une entité de R&D sous tutelle du Ministère de l’Enseignement Supérieur et de la Recherche Scientifique et de la Direction Générale de la Recherche et du Développement Technologique (DGRSDT).
Créé par Décret exécutif N°12-316 du 21 Août 2012 et ce, dans le prolongement des entités suivantes : Unité de Développement de la Technologie du Silicium (UDTS, arrêté du 24 Janvier 1988- UDTS-CDTA 1988-2012), Laboratoire des Matériaux Solaires (LMS-Centre de Développement des Matériaux 1984-1988) de l’ex. Commissariat aux Energies Nouvelles (CEN) évoluant ensuite en Haut-Commissariat à la Recherche), Laboratoire des Cristaux et Couches Minces (LCCM-Centre des Sciences et de la Technologie Nucléaire 1972-1984) et Laboratoire de Physique de IEN (1962-1972).
Dates importantes
- 1962 – 1972: Laboratoire de Physique d’IEN,
- 1972 – 1984: Laboratoire des Cristaux et Couches Minces : LCCM – Centre des Sciences et de la Technologie Nucléaire,
- 1984 – 1988: Laboratoire des Matériaux Solaires : LMS – Centre de Développement des Matériaux de l’ex. Commissariat aux Energies Nouvelles (CEN) évoluant ensuite en Haut-Commissariat à la Recherche
- 1988 – 2012: Création de l’Unité de Développement de la Technologie du Silicium (UDTS), arrêté du 24 Janvier 1988- UDTS – CDTA
- 21 Août 2012: Création du Centre de Recherche en Technologie des Semi-conducteurs pour l’Energétique (CRTSE), décret exécutif N°12-316 du